Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FDN86265P
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDN86265P-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 150 V 800mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventarier:
26027 Pcs Ny Original I Lager
12838997
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDN86265P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4.1 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
210 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
FDN86265
Datablad och dokument
Datablad
FDN86265P
Datasheets
FDN86265P
HTML-Datasheet
FDN86265P-DG
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
FDN86265PTR
FDN86265PCT
FDN86265PDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
HUF76429D3S
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
FCI25N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
FDC8884
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
FDP150N10A-F102
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3