Tillverkare Produktnummer:
FDN357N
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDN357N-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventarier:
21122 Pcs Ny Original I Lager
12850974
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDN357N Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
60mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.9 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
235 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
500mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
FDN357
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
FDN357NCT
FDN357NDKR
FDN357NTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDB2614
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
FDU6N25
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
FDPF2D3N10C
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
