FDMS0309AS
Tillverkare Produktnummer:

FDMS0309AS

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDMS0309AS-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventarier:

5988 Pcs Ny Original I Lager
12836884
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDMS0309AS Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta), 49A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-PQFN (5x6)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
FDMS03

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
1990-FDMS0309ASCT
FDMS0309ASTR-DG
FDMS0309ASCT-DG
FDMS0309ASDKR-DG
FDMS0309ASCT
FDMS0309ASTR
1990-FDMS0309ASDKR
488-FDMS0309ASCT
488-FDMS0309ASDKR
488-FDMS0309ASTR
FDMS0309ASDKR
1990-FDMS0309ASTR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
onsemi

FDBL86361-F085

MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF

onsemi

FDW256P

MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP

onsemi

FDMC007N08LC

MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN

onsemi

FQB12N50TM_AM002

MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK