Tillverkare Produktnummer:
FDMD86100
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDMD86100-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Inventarier:
1093 Pcs Ny Original I Lager
12848017
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDMD86100 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Last Time Buy
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A
rds på (max) @ id, vgs
10.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2060pF @ 50V
Effekt - Max
2.2W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-PowerWDFN
Paket för leverantörsenhet
8-Power 5x6
Grundläggande produktnummer
FDMD86
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
FDMD86100CT
FDMD86100TR
FDMD86100DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDC6561AN
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
FDMA6023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
AO7600_001
MOSFET N/P-CH 20V 0.9A SC70-6
