FDMC8878_F126
Tillverkare Produktnummer:

FDMC8878_F126

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDMC8878_F126-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Inventarier:

Förfrågan Online
12847808
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
lBDs
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDMC8878_F126 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
14mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1230 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 31W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-MLP (3.3x3.3)
Paket / Fodral
8-PowerWDFN
Grundläggande produktnummer
FDMC88

Datablad och dokument

Datablad
FDMC8878 Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
FDMC8878_F126CT
FDMC8878_F126DKR
FDMC8878_F126TR

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
FDMC8878
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
6381
DEL NUMMER
FDMC8878-DG
ENHETSPRIS
0.46
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

NTB85N03

MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK

onsemi

FQD6P25TF

MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

onsemi

FDB8444-F085

MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB

onsemi

FQA11N90C-F109

MOSFET N-CH 900V 11A TO3P