Tillverkare Produktnummer:
FDMA8878
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDMA8878-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 10A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventarier:
3733 Pcs Ny Original I Lager
12848083
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDMA8878 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Ta), 10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
16mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.4W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-MicroFET (2x2)
Paket / Fodral
6-WDFN Exposed Pad
Grundläggande produktnummer
FDMA88
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
FDMA8878TR
FDMA8878DKR
FDMA8878CT
FDMA8878-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDN358P
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
NTB22N06T4
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
FCPF165N65S3R0L
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
