Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FDH210N08
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDH210N08-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 75V TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 75 V 210A (Tc) 462W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
Förfrågan Online
12847925
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDH210N08 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
75 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
462W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
FDH210
Datablad och dokument
Datablad
FDH210N08
Datasheets
FDH210N08
HTML-Datasheet
FDH210N08-DG
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFP2907PBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2867
DEL NUMMER
IRFP2907PBF-DG
ENHETSPRIS
2.55
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXFH230N075T2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXFH230N075T2-DG
ENHETSPRIS
3.98
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NVBLS0D5N04M8TXG
MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
AON7401L
MOSFET P-CH 30V 9A/20A 8DFN
NTTFS4932NTWG
MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN
NTMS4700NR2
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC