Tillverkare Produktnummer:
FDG315N
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDG315N-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 2A SC88
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventarier:
12850111
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDG315N Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
120mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
220 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
750mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SC-88 (SC-70-6)
Paket / Fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Grundläggande produktnummer
FDG315
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
2832-FDG315NTR
FDG315NCT
FDG315N-DG
FDG315NDKR
FDG315NTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
IRF840B
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
FQD6N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
