Tillverkare Produktnummer:
FDD850N10L
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDD850N10L-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 15.7A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventarier:
8609 Pcs Ny Original I Lager
12846636
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDD850N10L Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15.7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
75mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
28.9 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1465 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
FDD850
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
FDD850N10LTR
FDD850N10LCT
FDD850N10L-DG
FDD850N10LDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQA28N15_F109
MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN
AOD486A
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
NVMJS1D7N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
