Tillverkare Produktnummer:

FDC855N

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDC855N-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventarier:

6369 Pcs Ny Original I Lager

12846737

Begära offert

Antal
Minst 1

Jab9

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDC855N Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

6.1A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

27mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

655 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

1.6W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

SuperSOT™-6

Paket / Fodral

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Grundläggande produktnummer

FDC855

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

3,000

Andra namn

FDC855NTR

2832-FDC855N

FDC855NCT

FDC855NDKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF240L

MOSFET N-CH 40V 20A/85A TO220-3F

onsemi

FDN5618P

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

onsemi

FDMS86255

MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

infineon-technologies

IPA80R600P7XKSA1

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220