Tillverkare Produktnummer:
FDC6310P
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDC6310P-DG
Beskrivning:
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 2.2A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Inventarier:
7945 Pcs Ny Original I Lager
12838667
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDC6310P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.2A
rds på (max) @ id, vgs
125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
337pF @ 10V
Effekt - Max
700mW
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket för leverantörsenhet
SuperSOT™-6
Grundläggande produktnummer
FDC6310
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
FDC6310PFSTR
FDC6310PFSCT
FDC6310PFSDKR
FDC6310P-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
ECH8653-TL-H
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8ECH
FDS6961A
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
EMH2417R-TL-H
MOSFET 2N-CH 12V 11A SOT383FL
