Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
DR Kongo
Argentina
Turkiet
Rumänien
Litauen
Norge
Österrike
Angola
Slovakien
Italien
Finland
Vitryssland
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Montenegro
Ryska
Belgien
Sverige
Serbien
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Moldavien
Tyskland
Nederländerna
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrike
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Portugal
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FDB6670AL
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDB6670AL-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 80A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
Förfrågan Online
12847382
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDB6670AL Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2440 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
68W (Tc)
Drifttemperatur
-65°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
FDB667
Datablad och dokument
Datasheets
FDB6670AL
HTML-Datasheet
FDB6670AL-DG
Ytterligare information
Standard-paket
800
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PSMN4R3-30BL,118
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
9945
DEL NUMMER
PSMN4R3-30BL,118-DG
ENHETSPRIS
0.58
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
PSMN017-30BL,118
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1868
DEL NUMMER
PSMN017-30BL,118-DG
ENHETSPRIS
0.37
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPI057N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
FQB5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
NVMFS5C410NLT1G
MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
NTD4810NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK