Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FDB3860
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDB3860-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 6.4A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
Förfrågan Online
12925230
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDB3860 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.4A (Ta), 30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
37mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1740 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
FDB386
Datablad och dokument
Datasheets
FDB3860
HTML-Datasheet
FDB3860-DG
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
FDB3860CT
FDB3860DKR
FDB3860TR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STB30NF10T4
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
971
DEL NUMMER
STB30NF10T4-DG
ENHETSPRIS
0.66
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
PHB27NQ10T,118
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7068
DEL NUMMER
PHB27NQ10T,118-DG
ENHETSPRIS
0.55
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
PSMN015-100B,118
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2021
DEL NUMMER
PSMN015-100B,118-DG
ENHETSPRIS
0.81
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
PHB45NQ10T,118
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5193
DEL NUMMER
PHB45NQ10T,118-DG
ENHETSPRIS
0.74
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
PSMN009-100B,118
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
PSMN009-100B,118-DG
ENHETSPRIS
1.18
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NVMFS5C450NWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NTE2388
MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220
FQD9N25TM-F080
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
JANTXV2N6802
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO205AF