Tillverkare Produktnummer:
FDB12N50TM
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDB12N50TM-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
1 Pcs Ny Original I Lager
12921893
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDB12N50TM Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
UniFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1315 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
165W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
FDB12N50
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFA12N50P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
298
DEL NUMMER
IXFA12N50P-DG
ENHETSPRIS
1.82
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXTA12N50P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
24
DEL NUMMER
IXTA12N50P-DG
ENHETSPRIS
1.71
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
ATP114-TL-H
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FDS4465-F085
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
