Tillverkare Produktnummer:
FDB12N50FTM-WS
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDB12N50FTM-WS-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
39 Pcs Ny Original I Lager
12839082
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDB12N50FTM-WS Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
UniFET™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
700mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1395 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
165W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
FDB12N50
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
FDB12N50FTM-WSTR
FDB12N50FTM_WS-DG
FDB12N50FTM-WSCT
FDB12N50FTM_WSDKR-DG
FDB12N50FTM_WS
FDB12N50FTM_WSDKR
FDB12N50FTM_WSCT-DG
FDB12N50FTM_WSCT
FDB12N50FTM_WSTR-DG
FDB12N50FTM-WSDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FDB20N50F
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
12950
DEL NUMMER
FDB20N50F-DG
ENHETSPRIS
1.47
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSB028N06NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
FDMS8848NZ
MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
FDS6680
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
