Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FDB047N10
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDB047N10-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
Förfrågan Online
12838928
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDB047N10 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
15265 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
FDB047
Datablad och dokument
Datablad
FDB047N10 Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
FDB047N10DKR
FDB047N10TR
2156-FDB047N10-OS
FDB047N10CT
FAIFSCFDB047N10
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PHB27NQ10T,118
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7068
DEL NUMMER
PHB27NQ10T,118-DG
ENHETSPRIS
0.55
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
PSMN3R8-100BS,118
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
16656
DEL NUMMER
PSMN3R8-100BS,118-DG
ENHETSPRIS
1.54
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
PSMN015-100B,118
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2021
DEL NUMMER
PSMN015-100B,118-DG
ENHETSPRIS
0.81
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IRF3808STRLPBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3022
DEL NUMMER
IRF3808STRLPBF-DG
ENHETSPRIS
1.30
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IRF100S201
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2305
DEL NUMMER
IRF100S201-DG
ENHETSPRIS
1.63
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQPF7N80C
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F
FDZ375P
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
FQB9N50CTM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
FQP19N10L
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3