Tillverkare Produktnummer:
FDB024N08BL7
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDB024N08BL7-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventarier:
2080 Pcs Ny Original I Lager
12850915
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDB024N08BL7 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13530 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
246W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263-7
Paket / Fodral
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grundläggande produktnummer
FDB024
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
FDB024N08BL7TR
FDB024N08BL7DKR
FDB024N08BL7CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AOB66616L
MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
AOTF2N60L
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F
AOI468
MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
