Tillverkare Produktnummer:
FDA79N15
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDA79N15-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 79A TO3PN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 79A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventarier:
12851068
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDA79N15 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
UniFET™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
30mOhm @ 39.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3410 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
417W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3PN
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
FDA79
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFP4321PBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5739
DEL NUMMER
IRFP4321PBF-DG
ENHETSPRIS
2.19
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
2SK1317-E
Tillverkare
Renesas Electronics Corporation
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5608
DEL NUMMER
2SK1317-E-DG
ENHETSPRIS
3.29
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXTQ96N15P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXTQ96N15P-DG
ENHETSPRIS
4.21
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDC642P-F085
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
MCH6421-TL-W
MOSFET N-CH 20V 5.5A MCPH6
IRFP450B
MOSFET N-CH 500V 14A TO3P
