Tillverkare Produktnummer:
FDA59N25
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDA59N25-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 59A (Tc) 392W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventarier:
535 Pcs Ny Original I Lager
12850867
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDA59N25 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
UniFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
49mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4020 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
392W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3PN
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
FDA59
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
2156-FDA59N25-OS
ONSONSFDA59N25
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDP3672
MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
FQD11P06TM
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
FQD19N10TF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK