Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FDA20N50-F109
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FDA20N50-F109-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventarier:
Förfrågan Online
12846489
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDA20N50-F109 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
UniFET™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
230mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
59.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3120 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
280W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3PN
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
FDA20N50
Datablad och dokument
Datablad
FDA20N50-F109
Datasheets
FDA20N50-F109
HTML-Datasheet
FDA20N50-F109-DG
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
FDA20N50_F109
FDA20N50_F109-DG
ONSONSFDA20N50-F109
FDA20N50
2156-FDA20N50-F109-OS
FDA20N50-DG
2832-FDA20N50-F109
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXTQ26N50P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXTQ26N50P-DG
ENHETSPRIS
3.47
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXTQ22N50P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
302
DEL NUMMER
IXTQ22N50P-DG
ENHETSPRIS
2.74
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXTQ460P2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
73
DEL NUMMER
IXTQ460P2-DG
ENHETSPRIS
2.96
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AOTF13N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3F
HUFA76407D3ST
MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
FDMS1D4N03S
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
AOB411L
MOSFET P-CH 60V 8A/78A TO263