Tillverkare Produktnummer:
FCP850N80Z
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FCP850N80Z-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
766 Pcs Ny Original I Lager
12847323
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FCP850N80Z Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
SuperFET® II
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
850mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 600µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1315 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
136W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
FCP850
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
2156-FCP850N80Z-OS
ONSONSFCP850N80Z
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXTP4N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
232
DEL NUMMER
IXTP4N65X2-DG
ENHETSPRIS
1.12
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDN361AN
MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
FDD8778
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
BSD314SPEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
