Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FCP165N65S3R0
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FCP165N65S3R0-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
Förfrågan Online
12838028
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FCP165N65S3R0 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
SuperFET® III
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.9mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
154W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
FCP165
Datablad och dokument
Datablad
FCP165N65S3R0
Datasheets
FCP165N65S3R0
HTML-Datasheet
FCP165N65S3R0-DG
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
2156-FCP165N65S3R0-488
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SPP20N60C3XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
6171
DEL NUMMER
SPP20N60C3XKSA1-DG
ENHETSPRIS
2.45
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP28N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1020
DEL NUMMER
STP28N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.40
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
FCP165N65S3
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
FCP165N65S3-DG
ENHETSPRIS
1.68
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
FCH165N65S3R0-F155
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
444
DEL NUMMER
FCH165N65S3R0-F155-DG
ENHETSPRIS
2.80
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
SIHP22N60AE-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
SIHP22N60AE-GE3-DG
ENHETSPRIS
1.72
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDZ204P
MOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGA
FQB9P25TM
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
FQPF5N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
FQA62N25C
MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN