Tillverkare Produktnummer:
FCP099N65S3
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FCP099N65S3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
12838698
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FCP099N65S3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tube
Serie
SuperFET® III
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2480 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
227W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
FCP099
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFP34N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXFP34N65X2-DG
ENHETSPRIS
3.29
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IPP65R110CFDAAKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPP65R110CFDAAKSA1-DG
ENHETSPRIS
3.79
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP36N60M6
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
96
DEL NUMMER
STP36N60M6-DG
ENHETSPRIS
3.05
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
FCH099N65S3-F155
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
390
DEL NUMMER
FCH099N65S3-F155-DG
ENHETSPRIS
3.53
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
