Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
FCH190N65F-F085
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FCH190N65F-F085-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
Förfrågan Online
12850161
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FCH190N65F-F085 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
SuperFET® II
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3181 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
208W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
FCH190
Datablad och dokument
Datablad
FCH190N65F_F085
Datasheets
FCH190N65F-F085
HTML-Datasheet
FCH190N65F-F085-DG
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
2832-FCH190N65F-F085-488
FCH190N65F_F085-DG
FCH190N65F_F085
2832-FCH190N65F-F085
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPW60R180C7XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
218
DEL NUMMER
IPW60R180C7XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.58
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
SIHG22N60AE-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
SIHG22N60AE-GE3-DG
ENHETSPRIS
1.64
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
APT34M60B
Tillverkare
Microchip Technology
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
APT34M60B-DG
ENHETSPRIS
11.84
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
TK20N60W,S1VF
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
15
DEL NUMMER
TK20N60W,S1VF-DG
ENHETSPRIS
2.83
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
SIHG22N60E-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
498
DEL NUMMER
SIHG22N60E-GE3-DG
ENHETSPRIS
1.88
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQP50N06
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
AON6448L
MOSFET N-CH 80V 11A/65A 8DFN
AO3435
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3L
AON6510
MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN