Tillverkare Produktnummer:
FCD260N65S3
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FCD260N65S3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventarier:
12838965
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FCD260N65S3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
260mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.2mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1010 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
90W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
FCD260
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
488-FCD260N65S3CT
488-FCD260N65S3DKR
FCD260N65S3-DG
488-FCD260N65S3TR
2156-FCD260N65S3-488
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDP34N33
MOSFET N-CH 330V TO220-3
FQB8N90CTM
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
FQH90N15
MOSFET N-CH 150V 90A TO247-3
