Tillverkare Produktnummer:
FCA36N60NF
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
FCA36N60NF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 34.9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventarier:
12850149
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FCA36N60NF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
FRFET®, SupreMOS®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
34.9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
95mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4245 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
312W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3PN
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
FCA36N60
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
450
Andra namn
488-FCA36N60NF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK31J60W,S1VQ
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
25
DEL NUMMER
TK31J60W,S1VQ-DG
ENHETSPRIS
4.32
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
TK31J60W5,S1VQ
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
25
DEL NUMMER
TK31J60W5,S1VQ-DG
ENHETSPRIS
4.54
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
EMH1405-P-TL-H
MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
