Tillverkare Produktnummer:
2SK4125-1EX
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
2SK4125-1EX-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 17A TO3P-3L
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 17A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Inventarier:
12833658
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SK4125-1EX Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
610mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TA)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P-3L
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
2SK4125
Ytterligare information
Standard-paket
1
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PMV52ENEAR
MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
AUIRF1324STRL7P
MOSFET N-CH 24V 340A D2PAK
AUIRFR4104
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
