Tillverkare Produktnummer:
2SK4124-1E
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
2SK4124-1E-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P-3L
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 20A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Inventarier:
12833741
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SK4124-1E Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
430mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
46.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P-3L
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
2SK4124
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFQ20N50P3
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
294
DEL NUMMER
IXFQ20N50P3-DG
ENHETSPRIS
2.40
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
FDA16N50-F109
Tillverkare
Fairchild Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
270
DEL NUMMER
FDA16N50-F109-DG
ENHETSPRIS
1.50
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
5HP01M-TL-H
MOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP
2SK4087LS-1E
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220F-3FS
BUK7880-55/CUF
MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
