Tillverkare Produktnummer:
2SJ661-DL-1E
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
2SJ661-DL-1E-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Inventarier:
12835834
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SJ661-DL-1E Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
38A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
39mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4360 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
2SJ661
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
2SJ661-DL-1EOSTR
ONSONS2SJ661-DL-1E
2156-2SJ661-DL-1E
2SJ661-DL-1E-DG
2832-2SJ661-DL-1ETR
2SJ661-DL-1EOSCT
2SJ661-DL-1EOSDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
AOB409L
Tillverkare
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
AOB409L-DG
ENHETSPRIS
0.39
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSP315PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
FDC602P_F095
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
IRLW630ATM
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
