Tillverkare Produktnummer:
2SC3600D
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
2SC3600D-DG
Beskrivning:
NPN SILICON TRANSISTOR
Detaljerad beskrivning:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 100 mA 400MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Inventarier:
2241 Pcs Ny Original I Lager
12954178
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SC3600D Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Enkel bipolära transistorer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
NPN
Ström - kollektor (ic) (max)
100 mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
200 V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
800mV @ 3mA, 30mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
60 @ 10mA, 10V
Effekt - Max
1.2 W
Frekvens - Övergång
400MHz
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Gradera
-
Kvalifikation
-
Typ av montering
Through Hole
Paket / Fodral
TO-225AA, TO-126-3
Paket för leverantörsenhet
TO-126
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
314
Andra namn
ONSSNY2SC3600D
2156-2SC3600D
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
Not applicable
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0075
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
2N3752
TRANS 80V 5A TO111
JANTXV2N3637
TRANS PNP 175V 1A TO39
JANKCBF2N3700
TRANS NPN 80V 1A TO18
