Tillverkare Produktnummer:
2SB1216T-E
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
2SB1216T-E-DG
Beskrivning:
TRANS PNP 100V 4A TP
Detaljerad beskrivning:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventarier:
12837039
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SB1216T-E Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Enkel bipolära transistorer
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Typ av transistor
PNP
Ström - kollektor (ic) (max)
4 A
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
100 V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
500mV @ 200mA, 2A
Ström - Kollektorns avstängning (max)
1µA (ICBO)
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 500mA, 5V
Effekt - Max
1 W
Frekvens - Övergång
130MHz
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket för leverantörsenhet
TP
Grundläggande produktnummer
2SB1216
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
ONSONS2SB1216T-E
2156-2SB1216T-E-ON
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0075
Alternativa modeller
DELNUMMER
2SB1216S-TL-E
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1071
DEL NUMMER
2SB1216S-TL-E-DG
ENHETSPRIS
0.27
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
