Tillverkare Produktnummer:
PSMN8R5-100ESFQ
Product Overview
Tillverkare:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Delenummer:
PSMN8R5-100ESFQ-DG
Beskrivning:
NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 97A (Ta) 183W (Ta) Through Hole I2PAK
Inventarier:
1000 Pcs Ny Original I Lager
12996758
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
PSMN8R5-100ESFQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
NXP Semiconductors
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
97A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3181 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
183W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
437
Andra namn
2156-PSMN8R5-100ESFQ-954
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PMN70XPE,115
NEXPERIA PMN70XPE - SMALL SIGNAL
FDMC6696P
FDMC6696 - P-CHANNEL POWERTRENCH
2SK3486-TD-E
2SK3486 - N-CHANNEL SILICON MOSF
