PSMN3R3-80ES,127
Tillverkare Produktnummer:

PSMN3R3-80ES,127

Product Overview

Tillverkare:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PSMN3R3-80ES,127-DG

Beskrivning:

ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventarier:

1415 Pcs Ny Original I Lager
12942544
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PSMN3R3-80ES,127 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
NXP Semiconductors
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9961 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
338W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
205
Andra namn
2156-PSMN3R3-80ES127
NEXNXPPSMN3R3-80ES,127

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
0000.00.0000
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
sanyo

CPH3407-TL-E

MOSFET N-CH

international-rectifier

AUIRFSL8408

AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

international-rectifier

AUIRFR5410-IR

AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL

sanyo

2SK4086LS-MG5

MOSFET N-CH