Tillverkare Produktnummer:
PMDPB95XNE,115
Product Overview
Tillverkare:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
PMDPB95XNE,115-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 30V 2.4A 475mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Inventarier:
12811575
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
PMDPB95XNE,115 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
NXP Semiconductors
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.4A
rds på (max) @ id, vgs
120mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
143pF @ 15V
Effekt - Max
475mW
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-UDFN Exposed Pad
Paket för leverantörsenhet
6-HUSON (2x2)
Grundläggande produktnummer
PMDPB95
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
2156-PMDPB95XNE115-NXTR
934067055115
568-10764-6
NEXNXPPMDPB95XNE,115
568-10764-1
568-10764-2
PMDPB95XNE,115-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PMGD175XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
PMDPB56XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON
PMWD30UN,518
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
