Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
PHU11NQ10T,127
Product Overview
Tillverkare:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
PHU11NQ10T,127-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 10.9A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 10.9A (Tc) 57.7W (Tc) Through Hole IPAK
Inventarier:
Förfrågan Online
12872765
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
w
P
o
O
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
PHU11NQ10T,127 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
NXP Semiconductors
Förpackning
-
Serie
TrenchMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
180mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
14.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
57.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
IPAK
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
PHU11
Datablad och dokument
Datasheets
PHU11NQ10T,127
HTML-Datasheet
PHU11NQ10T,127-DG
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
PHU11NQ10T
PHU11NQ10T-DG
934056349127
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRLU120NPBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
9600
DEL NUMMER
IRLU120NPBF-DG
ENHETSPRIS
0.30
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STU6NF10
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3000
DEL NUMMER
STU6NF10-DG
ENHETSPRIS
0.32
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STD12NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
STFU13N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
STL9P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
STB45N30M5
NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53