PBSS5112PAP,115
Tillverkare Produktnummer:

PBSS5112PAP,115

Product Overview

Tillverkare:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Delenummer:

PBSS5112PAP,115-DG

Beskrivning:

NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
Detaljerad beskrivning:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP 120V 1A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)

Inventarier:

34680 Pcs Ny Original I Lager
12967784
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PBSS5112PAP,115 Tekniska specifikationer

Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära Transistorer Arrays
Tillverkare
NXP Semiconductors
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 PNP
Ström - kollektor (ic) (max)
1A
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
120V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
480mV @ 100mA, 1A
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
190 @ 100mA, 2V
Effekt - Max
510mW
Frekvens - Övergång
100MHz
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-UDFN Exposed Pad
Paket för leverantörsenhet
6-HUSON (2x2)

Datablad och dokument

Datablad
PBSS5112PAP,115 Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
1,888
Andra namn
2156-PBSS5112PAP,115-954

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
harris-corporation

CA3096CM96

3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY

onsemi

EMT2DXV6T5G

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

harris-corporation

CA3083M

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN

intersil

CA3083R4339

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN