Tillverkare Produktnummer:
BUT12AI,127
Product Overview
Tillverkare:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
BUT12AI,127-DG
Beskrivning:
TRANS NPN 450V 8A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 8 A 110 W Through Hole TO-220AB
Inventarier:
13066288
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BUT12AI,127 Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Enkel bipolära transistorer
Tillverkare
NXP Semiconductors
Förpackning
-
Serie
-
Emballage
Tube
Status för delar
Obsolete
Typ av transistor
NPN
Ström - kollektor (ic) (max)
8 A
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
450 V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
1.5V @ 860mA, 5A
Ström - Kollektorns avstängning (max)
1mA
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
14 @ 1A, 5V
Effekt - Max
110 W
Frekvens - Övergång
-
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket / Fodral
TO-220-3
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Grundläggande produktnummer
BUT12
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
934050220127
BUT12AI
BUT12AI-ND
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BC556A,112
BJT TO92 65V 100MA PNP 0.5W 150C
BUK9Y29-40E/CX
TRANS N-CH LFPAK
BUK9Y41-80E/GFX
TRANS N-CH LFPAK
