Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
BUK9E3R2-40B,127
Product Overview
Tillverkare:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
BUK9E3R2-40B,127-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventarier:
Förfrågan Online
12874429
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BUK9E3R2-40B,127 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
NXP Semiconductors
Förpackning
-
Serie
TrenchMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 5 V
Vgs (max)
±15V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10502 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
BUK9
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
568-6639-5
BUK9E3R2-40B,127-DG
BUK9E3R2-40B-DG
934058038127
568-6639-DG
BUK9E3R240B127
BUK9E3R2-40B
2156-BUK9E3R2-40B127-NX
954-BUK9E3R2-40B127
568-6639
NEXNXPBUK9E3R2-40B,127
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
AUIRF2804L
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
962
DEL NUMMER
AUIRF2804L-DG
ENHETSPRIS
5.42
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STI270N4F3
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
888
DEL NUMMER
STI270N4F3-DG
ENHETSPRIS
2.55
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STH300NH02L-6
MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK
STL25N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV
STE60N105DK5
MOSFET N-CH 1050V 46A ISOTOP
STL135N8F7AG
MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT