Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
NTE464
Product Overview
Tillverkare:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics Delenummer:
NTE464-DG
Beskrivning:
MOSFET-P CHANNEL AMP/SW
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 25 V 10A 800mW (Tc) Through Hole TO-72
Inventarier:
40 Pcs Ny Original I Lager
12922836
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTE464 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bag
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
600Ohm @ 0A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10A
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5000 pF @ 10 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
800mW (Tc)
Drifttemperatur
175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-72
Paket / Fodral
TO-72-3
Datablad och dokument
Datablad
NTE464 Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
2368-NTE464
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTE2399
MOSFET N-CHANNEL 1KV 3.1A TO220
NTE2389
MOSFET N-CHANNEL 60V 35A TO220
NTE455
MOSFET-DUAL GATE N-CH
FQT2P25TF
MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4