Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
PSMN3R0-60ES,127
Product Overview
Tillverkare:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
PSMN3R0-60ES,127-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventarier:
Förfrågan Online
12830726
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
PSMN3R0-60ES,127 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Nexperia
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8079 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
306W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datablad och dokument
Datablad
PSMN3R0-60ES
Datasheets
PSMN3R0-60ES,127
HTML-Datasheet
PSMN3R0-60ES,127-DG
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
2156-PSMN3R0-60ES,127-1727
568-6906-5-DG
PSMN3R060ES127
1727-5437
568-6906-5
934064562127
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FDI030N06
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
FDI030N06-DG
ENHETSPRIS
2.27
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IRFSL3306PBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IRFSL3306PBF-DG
ENHETSPRIS
1.04
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IPI029N06NAKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
61
DEL NUMMER
IPI029N06NAKSA1-DG
ENHETSPRIS
0.88
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IRFSL3206PBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1600
DEL NUMMER
IRFSL3206PBF-DG
ENHETSPRIS
1.22
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PSMN7R0-100ES,127
MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
BUK7E2R6-60E,127
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
BSR302NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59
PSMN4R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56