PSMN018-100PSFQ
Tillverkare Produktnummer:

PSMN018-100PSFQ

Product Overview

Tillverkare:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PSMN018-100PSFQ-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

Förfrågan Online
12829467
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PSMN018-100PSFQ Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Nexperia
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
53A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
18mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1482 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
111W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
PSMN018-100PSF
Datasheets
PSMN018-100PSFQ
HTML-Datasheet
PSMN018-100PSFQ-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
934068748127

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
NTP6412ANG
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
114
DEL NUMMER
NTP6412ANG-DG
ENHETSPRIS
0.86
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
nexperia

NX3008NBKW,115

MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323

nexperia

PMV20XNEAR

MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB

nexperia

BUK9Y21-40E,115

MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56

nexperia

BUK9Y11-30B,115

MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK56