Tillverkare Produktnummer:

PSMN018-100ESFQ

Product Overview

Tillverkare:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PSMN018-100ESFQ-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 100 V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole I2PAK

Inventarier:

Förfrågan Online

12830549

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

PSMN018-100ESFQ Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Nexperia

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

100 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

53A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

7V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

18mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

21.4 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1482 pF @ 50 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

111W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

I2PAK

Paket / Fodral

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

PSMN018-100ESFQ

HTML-Datasheet

PSMN018-100ESFQ-DG

Ytterligare information

Standard-paket

50

Andra namn

934068749127

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

nexperia

PSMN8R5-100PSQ

MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB

nexperia

BUK7Y29-40EX

MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK56

nexperia

BUK9907-40ATC,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5

nexperia

PSMN3R0-60BS,118

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK