Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
BUK9Y8R7-60E,115
Product Overview
Tillverkare:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
BUK9Y8R7-60E,115-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 86A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventarier:
2500 Pcs Ny Original I Lager
12831442
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BUK9Y8R7-60E,115 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Nexperia
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 5 V
Vgs (max)
±10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4570 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
147W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
LFPAK56, Power-SO8
Paket / Fodral
SC-100, SOT-669
Grundläggande produktnummer
BUK9Y8
Datablad och dokument
Datablad
BUK9Y8R7-60E
Datasheets
BUK9Y8R7-60E,115
HTML-Datasheet
BUK9Y8R7-60E,115-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,500
Andra namn
568-10283-6-DG
568-10283-1
568-10283-2
1727-1128-2
568-10283-1-DG
568-10283-2-DG
1727-1128-1
568-10283-6
1727-1128-6
BUK9Y8R7-60E,115-DG
5202-BUK9Y8R7-60E,115TR
934067021115
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NX2301P,215
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
BUK6E2R0-30C,127
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
PSMN1R4-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
PSMN3R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56