BUK9Y29-40E,115
Tillverkare Produktnummer:

BUK9Y29-40E,115

Product Overview

Tillverkare:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

BUK9Y29-40E,115-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 25A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventarier:

19508 Pcs Ny Original I Lager
12920551
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

BUK9Y29-40E,115 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Nexperia
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V
rds på (max) @ id, vgs
25mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 5 V
Vgs (max)
±10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
664 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
37W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
LFPAK56, Power-SO8
Paket / Fodral
SC-100, SOT-669
Grundläggande produktnummer
BUK9Y29

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
1,500
Andra namn
1727-1497-2
568-10977-2
568-10977-1
5202-BUK9Y29-40E,115TR
934067049115
1727-1497-6
BUK9Y29-40E,115-DG
568-10977-6
568-10977-2-DG
568-10977-1-DG
1727-1497-1
568-10977-6-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIHG039N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC

vishay-siliconix

SI7884BDP-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

nexperia

PSMN8R7-80BS,118

MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK

vishay-siliconix

SIHG100N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC