Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
BUK7E3R1-40E,127
Product Overview
Tillverkare:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
BUK7E3R1-40E,127-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventarier:
Förfrågan Online
12829682
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BUK7E3R1-40E,127 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Nexperia
Förpackning
-
Serie
TrenchMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
234W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datablad och dokument
Datablad
BUK7E3R1-40E
Datasheets
BUK7E3R1-40E,127
HTML-Datasheet
BUK7E3R1-40E,127-DG
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
NEXNEXBUK7E3R1-40E,127
1727-7244
BUK7E3R140E127
934066417127
568-9852-5
2156-BUK7E3R1-40E127
568-9852-5-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
BUK7E3R1-40E,127
Tillverkare
NXP Semiconductors
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1263
DEL NUMMER
BUK7E3R1-40E,127-DG
ENHETSPRIS
0.69
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BUK664R8-75C,118
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
BSC017N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
PMN70XPX
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323