Tillverkare Produktnummer:

JANTX2N6898

Product Overview

Tillverkare:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

JANTX2N6898-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3

Detaljerad beskrivning:

P-Channel 100 V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3

Inventarier:

Förfrågan Online

12930155

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

JANTX2N6898 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Microsemi

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

P-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

100 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

25A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

200mOhm @ 15.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

3000 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

150W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gradera

Military

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-3

Paket / Fodral

TO-204AA, TO-3

Ytterligare information

Standard-paket

4

Andra namn

150-JANTX2N6898

JANTX2N6898-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

JANTXV2N6898

MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3

infineon-technologies

IPD036N04LGATMA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31

rohm-semi

R6035KNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

rohm-semi

R6035ENZ4C13

MOSFET N-CH 600V 35A TO247