Tillverkare Produktnummer:

APTM120U10DAG

Product Overview

Tillverkare:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

APTM120U10DAG-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 1200V 160A SP6

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 1200 V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6

Inventarier:

Förfrågan Online

13252541

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

APTM120U10DAG Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Microsemi

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

1200 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

160A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

120mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 20mA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

1100 nC @ 10 V

Vgs (max)

±30V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

28900 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3290W (Tc)

Drifttemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Chassis Mount

Paket för leverantörsenhet

SP6

Paket / Fodral

SP6

Datablad och dokument

Datablad

High-Voltage Power Discretes and Modules

Ytterligare information

Standard-paket

1

Andra namn

APTM120U10DAG-ND

150-APTM120U10DAG

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

microsemi

APT20M19JVR

MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP

microchip-technology

APT29F80J

MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP

microchip-technology

APT75M50L

MOSFET N-CH 500V 75A TO264

microchip-technology

APT56F60L

MOSFET N-CH 600V 60A TO264