Tillverkare Produktnummer:
APTC90DAM60CT1G
Product Overview
Tillverkare:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
APTC90DAM60CT1G-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
Inventarier:
13246847
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
APTC90DAM60CT1G Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microsemi
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
60mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 6mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13600 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
462W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SP1
Paket / Fodral
SP1
Ytterligare information
Standard-paket
100
Andra namn
APTC90DAM60CT1G-ND
150-APTC90DAM60CT1G
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
APT10078BLLG
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
APT12067JLL
MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
APT8030JVFR
MOSFET N-CH 800V 25A ISOTOP