Tillverkare Produktnummer:

APTC60DAM35T1G

Product Overview

Tillverkare:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

APTC60DAM35T1G-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 600 V 72A (Tc) 416W (Tc) Chassis Mount SP1

Inventarier:

Förfrågan Online

13247119

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

APTC60DAM35T1G Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Microsemi

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

600 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

72A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 5.4mA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

518 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

14000 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

416W (Tc)

Drifttemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Chassis Mount

Paket för leverantörsenhet

SP1

Paket / Fodral

SP1

Datablad och dokument

Datablad

High-Voltage Power Discretes and Modules

Ytterligare information

Standard-paket

1

Andra namn

APTC60DAM35T1G-ND

150-APTC60DAM35T1G

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

microchip-technology

APT77N60BC6

MOSFET N-CH 600V 77A TO247

microchip-technology

APTM100UM45DAG

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

microchip-technology

APT56M50L

MOSFET N-CH 500V 56A TO264

microchip-technology

APT56M60B2

MOSFET N-CH 600V 60A TO247