Tillverkare Produktnummer:
APT6017B2LLG
Product Overview
Tillverkare:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
APT6017B2LLG-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 500W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventarier:
13259944
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
APT6017B2LLG Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microsemi
Förpackning
-
Serie
POWER MOS 7®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
170mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
500W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
T-MAX™ [B2]
Paket / Fodral
TO-247-3 Variant
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
150-APT6017B2LLG
APT6017B2LLG-ND
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
2N7227U
MOSFET N-CH 400V 14A TO267AB
APT13F120B
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
APT10078BFLLG
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
